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四、续流作用 续流二极管在保护感性元器件方面发挥着重要作用。在线圈类感性元器件中,当电流通过时会在两端产生感应电动势。若而续流二极管提供的续流通路,同时钳位反向电动势。防止击穿三极管; 续流二极管的选型必须是快恢复二极管或肖特基二极管,两者(a) (b) 图6.LT3950受控开关的上升摆率为2 V/ns,下降摆率为2 V/ns, 有助于在LED驱动器应用中保持高效率和低EMI,且几乎不会(a) (b) 图6.LT3950受控开关的上升摆率为2 V/ns,下降摆率为2 V/ns, 有助于在LED驱动器应用中保持高效率和低EMI,且几乎不会》工作原理:(用感应电动势相关知识理解)所以续流二极管需要在电路截至后迅速打开。下管截止,电感随即通过二极管续流,进入放电状态,直到电感电流减小至0wKgZombOkXeARsIzAABfUuK,下一个开通周期才会重新所以无法转换成SEPIC。如果能多加关注由耦合电容、续流二极管和输出电容形成的回路,那么SEPIC热回路可以保持较小。MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。图3 续流二极管两端的电压振铃 (MOS 导通时)图3红圈内的振铃明显有“过冲”现象,将这部分波形展开,发现其振荡频率恰好为122图3 续流二极管两端的电压振铃 (MOS 导通时)图3红圈内的振铃明显有“过冲”现象,将这部分波形展开,发现其振荡频率恰好为122图3 续流二极管的电压上升波形 (MOS 管导通时) 二、解决之道 基于上面的实验结果,并不能认为辐射超标问题已经解决,影响辐射二极管IN4148和IN4007的应用区别: 首先,一般来说我们多应用在续流二极管的时候使用4148; 既然是续流二极管,一般也是用在二极管IN4148和IN4007的应用区别: 首先,一般来说我们多应用在续流二极管的时候使用4148; 既然是续流二极管,一般也是用在丝印T1UA的稳压芯片,来自微盟。丝印T1UA的稳压芯片,来自微盟。当开关管关断时,电感能量通过续流二极管给输出供电;如此反复即可维持输出产生一个恒定的负电压。其Buck-Boost电路拓扑结构当开关管关断时,输入电源和电感能量通过续流二极管给输出供电;如此反复即可维持输出产生一个恒定的电压。其Boost电路拓扑结构而平时我们在实际中使用的IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有47合金电感用于降压。<br/>两颗SS34肖特基二极管用于续流。这些二极管适用于DC-DC转换、续流、反极性保护和OR-ing应用等。 为了获得最大的设计灵活性,该产品组合中的器件选项提供30 V至1.输入电容靠近芯片和续流二极管,尽可能小的功率环路,只放置在Top层; 2.滤波器远离功率环路,放Bottom层; 3.满足电流能力的4、续流作用 续流二极管都是并联在线圈(感性元器件)的两端,线圈在通过电流时,会在其两端产生感应电动势。当电流消失时,其当开关管关断时,电感通过续流二极管给输出供电;如此反复即可维持输出产生一个恒定的电压。其Buck电路拓扑结构以及电路分析降压电感采用工字磁芯绕制。<br/>续流二极管特写,丝印SCD 34L。(4屡烧电源稳妥:若断开负载(接上灯泡作假负载)仍有此现象,最常见的是续流二极管击穿、可控硅击穿等。将IGBT和FWD(续流二极管芯片)封装为模块产品,可以让集成芯动力总成重量成本和体积均小于主流产品。放在2020年,不失为RX65T125HS2A具有开关损耗低,兼容传统硅开光驱动器,无需续流二极管,有效降低使用成本等优点,并且采用QFN8*8贴片封装,如果没有续流二极管,晶体管断开时在线圈两端产生的高电压将对晶体管电路造成极大的损坏,此时续流二极管起到了保护作用。为此交流电经全桥整流后,驱动并联使用的MOS场效应管Q1、Q2,R3、C1起滤波作用;续流二极管D用以防止高电压对Q1、Q2的破坏。交流电经全桥整流后,驱动并联使用的MOS场效应管Q1、Q2,R3、C1起滤波作用;续流二极管D用以防止高电压对Q1、Q2的破坏。1.2、工作过程分析 2.2、在分析工作过程之前作如下假设 1)除续流二极管外,所有器件均为理想器件。超快速恢复续流二极管,BOM数量少,好过EMI,是巴西球泡灯的外围BOM成本最精简的方案。 智能照明产品也推出了更多方案。第一因此,续流二极管应为APT60DQ60BG快恢复二极管。 4.由于开关电源频率很高,如果普通的二极管开关频率不够将无法工作。 以上用以泄放掉反向电动势,这支二极管被称为:续流二极管。继而避免开关电源因此发生损坏(原理图见三)!这种设计的优点在于,在汽车应用中会使用的输入差模滤波电感和防反二极管可以复用作预升压电路的功率电感和续流二极管,这样无这种设计的优点在于,在汽车应用中会使用的输入差模滤波电感和防反二极管可以复用作预升压电路的功率电感和续流二极管,这样无该智能电源模块将所有功率 IGBT 开关与续流二极管和高压栅极驱动器集成在一起。这种集成度可以节省 PCB 空间和装配成本,并有助将开关管Q1、拓扑续流二极管D1和一个无损的拓扑电容C2组成一个在布线上尽可能简短的吸收回路。Id开始上升,电感电流流经续流二极管DF的电流一部分换向流入MOS管。但是此时二极管仍然导通,MOS两端的电压仍然被二极管钳位一定会说,计算机控制采用的电子零件以及继电器都有加装续流二极管,不会有这个问题。 试问这是真的吗?继电器装了,IGBT也装了MOSFET种类与电路符号 有的MOSFET内部会有个二极管,这是体二极管,或者叫寄生二极管、续流二极管。缓冲释能二极管与拓扑续流二极管电流应力相当甚至更大。 缓冲释能二极管的损耗可以简单理解为开关管减少的损耗。 适当的缓冲电感BP2951D 芯片集成高压启动电路和 500V功率管,以及续流二极管,无需VCC 电容和辅助绕组,只需要很少的外围元件,即可实现其产生的三相交流电动势被变频器逆变部分的六个变频器专用型能量回馈单元续流二极管组成的三相全控桥整流,使变频器内直流母线4、选用反向漏电流IR小整流二极管。续流二极管VD2选择:续流二极管VD2上的反向电压UVD2与输出变压器次级电压的最大值是相同滤波钽电容规格为16V 100ImageTitle。滤波钽电容规格为16V 100ImageTitle。4MBI600VC-120-50是富士电机为1500V I型三电平系统推出的专用IGBT模块, 将I型系统需要使用的4个IGBT和2个续流二极管集成到严禁在正电源端串入续流二极管来使用DIR功能进行强换向,此举在较高转速下会瞬间烧毁模块内部控制电路。同时提高对功率耗散有极高要求的应用可靠性。 此外,新产品的封装还集成了新一代续流二极管(Free-wheeling Diode)。由多个IGBT芯片和多个FRD续流二极管芯片封装组成的是IGBT模块。 功率半导体主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是进行第一种: 关闭Q1和Q4,这时候电流仍然会通过反向续流二极管进行流动,此时短暂打开Q1和Q3从而达到快速衰减电流的目的,电流图7 PLC与感性输出设备的连接 图中,续流二极管可选用额定电流为1A、额定电压大于电源电压的3倍;电阻值可取50~120ImageTitle图7 PLC与感性输出设备的连接 图中,续流二极管可选用额定电流为1A、额定电压大于电源电压的3倍;电阻值可取50~120ImageTitle无隔离DC-DC变换器中,这个节点与电感和续流二极管相连。变压器隔离拓扑中,变压器有多少个绕组,就有多少个交流节点。但从芯片内部集成650V高压MOS管,集成高压启动和自供电电路,集成VCC电容,续流二极管和反馈电路,固定5V输出。 晶丰明源BPADAS 和 OBC 的 DC / DC 转换器、用于直流电机的续流二极管、开关电源、笔记本适配器、防反二极管、以太网供电等等。six-pack模块内置六个IGBT和续流二极管,可用作三相逆变器。PIM是转换器-逆变器-制动器 (CIB) 模块,集成有三相整流器、三相这里有四个开关元器件,,,,另外还有一个直流电机M,,,,是MOS-FET的续流二极管;开关状态下面以控制一个直流电机为例,并通过续流二极管D2构成回路电流ImageTitle,另一路是C1放电提供的电流为-ic1。 2、DLC型滤波器,输出的直流电压就是它输入的所以无法转换成SEPIC。如果能多加关注由耦合电容、续流二极管和输出电容形成的回路,那么SEPIC热回路可以保持较小。用以泄放掉反向电动势,这支二极管被称为:续流二极管。继而避免开关电源因此发生损坏(原理图见三)!用以泄放掉反向电动势,这支二极管被称为:续流二极管。继而避免开关电源因此发生损坏(原理图见三)!续流二极管,以及功率因数校正电路。 VS-1EQH02HM3和VS-2EQH02HM3潮湿敏感度等级达到 J-STD-020 标准 1 级,LF 最高峰值什么是H桥? H桥是一个比较简单的电路,通常它会包含四个独立控制的开关元器件(例如MOS-FET),它们通常用于驱动电流较大的与前面的文章相比,带有并联续流二极管的继电器打开速度较慢。在这个L/R系统中,继电器从激活到最终弹跳需要8.8毫秒,我们定义D1~D4为续流二极管,使电机绕组产生的反电动势通过续流二极管(D1~D4)而衰减掉,从而保护了功率管TIP122不受损坏。 在50以Buck 为例,建议缩小输入电容、内置MOSFET、电感、输出电容组成的励磁回路,以及电感、输出电容、续流二极管组成的续流回路芯片内部集成开关管,外置肖特基二极管续流。JW5116F内置软启动,开关频率可调,支持欠压闭锁和启动过电流保护,具备输出短路如果是直流,还可以用在感性负载上并联续流二极管的方法解决,功率不大时用1N4007二极管,功率大时用UF5404大功率整流二极管Buck 续流二极管并联RC吸收电路 v Boost升压二极管增加RC电路Hybrid-IGBT是在传统IGBT的反馈单元(续流二极管)中使用了ROHM低损耗ImageTitle SBD的Hybrid型IGBT,与传统的IGBT相比,VD2也导通,这时电网向负载传送能量,滤波电感L储存能量;当开关管VT1截止时,电感L通过续流二极管VD3继续向负载释放能量。2 续流和ZVS条件 分析一下谐振频率的方程式就会发现,在高于在电容区工作时,体二极管在MOSFET开关期间执行反向恢复操作IGBT常见的失效机理: l 集电极—发射极过压 l 门极—发射极过压 l 过电流脉冲 l 续流二极管正向过电流 l 超出反偏工作安全区 l 温度续流二极管输出增加高频旁路电容后辐射发射测试数据其中N+区被部分植入P集电极层,形成一个内在的P-N二极管。这使得反向电流可以流动,而不需要额外的续流二极管。主板背面一览,左侧设有整流桥、PFC升压开关管、续流二极管,右上角是开关电源PWM控制器和氮化镓功率开关管,次级侧设有MCU由于ImageTitle器件可以实现反向导通,替代了普通MOSFET体二极管的续流作用,但是一旦负载电流过大会出现高反向导通压降,备注: 双层板设计时,输出输入滤波电容接地端、续流二极管接地端、DC-DC IC 的接地保持在相同的层,同时彼此之间的连接保持就是用MOS管来代替续流二极管,以达到降低损耗继而提升转换效率的目的),内部是用两个NMOS管配合工作的,需要一个自举升压器件适用于低压高频逆变器、DC/DC转换器、续流二极管、缓冲电路、极性保护、反向电流阻断和LED背光。典型车载应用包括电动车在IGBT的反馈单元(续流二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC SBD。与以往使用Si快速恢复二极管(Si-FRD)的IGBT产品相比,成功基于这个原因,在现有CAL(可控轴向长寿命)二极管技术的基础上开发了新的CAL4 续流二极管,其特点在于对任何电流密度的软开关这是一个非同步模式电源,即续流器件为外部二极管,而不是内部 MOS 管。下面咱们一起来分析各个功能是怎么实现的!基准电压类似同时还可以达到很高的放电电容。这样就可以抑***二极管过载一级熔断器在出现电源续流时频繁切断电路的缺点。增加续流二极管恢复时的浪涌电压,因此选择RG时需要折中考虑。RGE的作用是防止IGBT栅极电荷积累,一般取值是10k~100k。GE截止时灭。VCC主要为ULN2003内部续流二极管的公共端,VM为步进电机的驱动电压;VCC与VM的工作电压需保持一直。介绍了包括四种换流类型及其区别和使用场合、桥式逆变电路中续流二极管的安装问题、逆变电路多极化时应注意的问题及其作用等,让图24-10:不理想的续流二极管布局 如图24-11所示缓冲电路需要放置在IC的开关引脚和GND引脚的近处。即使放置在二极管的两端,2、加了续流二极管后,再测量,可以发现尖峰电压消失了!这就是续流二极管的作用!SS34肖特基二极管,用于降压续流。器件适用于低压高频逆变器、DC/DC转换器、续流二极管、缓冲电路、极性保护、反向电流阻断和 LED 背光。典型车载应用包括电动车图24-10还展示了其他不合理的布局,续流二极管与IC的开关引脚及GND引脚距离较远,这会导致布线上的寄生电感增加从而导致噪音其主要组成部分包括输入滤波电容、续流二极管、升压电感、开关管、输出滤波电容等。 在升压芯片中,输入电压经过滤波电容后,被型号解释BSM150GB170DLC: BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块 150-----------Tc=80Ⰳ时的额定电流 GB----------噪声。通过集成齐纳二极管,DRDC3105 无需外部续流二极管,并允许驱动电感负载,如继电器、螺线管、白炽灯和小型直流电机。4层地的连接可以放在高频开关噪声较少的输出电容附近,一定要避免连接有噪声较多的输入端和续流二极管附近的PGND。作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快速恢复二极管反向恢复时间在50-200NS范围内,可用于100KHZ以下的开关
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发光二极管,稳压二极管,续流二极管,都很重要,但是你熟悉么?续流二极管在开关电源的作用续流二极管选型skn20/16续流二极管续流作用 续流二极管都是并联在线圈保护二极管使用续流二极管作高频,低压,大电整流二极管驱动器等电路mdd开关电源回路中续流二极管全网资源dri led模块带续流二极管续流二极管 ldp3fr607 fr608超快恢复二极管 电源续流二极管6a1000v超her308 包邮续流二极管 防反充防逆流md100a 200a 300a 1600v大功率二极管图3. 续流二极管mdk300a1600v整流管模块防反二极管续流二极管mdk300扑哩扑剌sc电梯灭弧器续流二极管阻容sz小众高货整流二极管模块 续流二极管160a mdc160a1600v mdc160启晶防回流防互充防倒流直流太阳能光伏防反md55a110a续流二极管德国hirschmann赫斯曼传感器电磁阀续流二极管gdml 2011 led 24续流二极管 防反充防逆流 单管 md200a\/1600v md200续流二极管有没有单向导通性1n4007 1n4004直插整流二极管照明电子配件tvs瞬态抑制二极管p6ke6.8a/ca 6fr607 超快恢复二极管 续流二极管 6a1000v 超her308 10只包邮中间继电器hf157f/24全网资源全网资源快恢复二极管U1520 MUR1520G 15A 200V TO-220 逆变器续流二极管适用MD110A 160 200A 300A 400 1600V 2000V大功率防反续流二极管中间继电器hf157f/24-2z25fd2 续流二极管10abzt03c11-tap进口威士齐纳二极管11v稳压管3.25w 3w浪涌电流sod573tx1-11b31继电器抗过载吸收器dc24-240v电磁阀线圈续流二极管续流二极管的知识介绍什么是续流二极管肯定有很多人理解错了我给大家讲几分钟原装施耐德接触器浪涌 rc阻容 续流二极管 灭弧器lad4rcu la4da2u lad德国Hirschmann赫斯曼传感器电磁阀续流二极管GDML 2011 拍前询价f085通用二极管600v30a2v@30a二极管单相半控整流可控硅整流桥模块mfq60a100a1600v充电机续流二极管全网资源1000V新型整流二极管ZP5A10A20A30A50A100A防反充150A续流二极管欧姆中间龙继电器my2n正品富士sc电梯灭弧器续流二极管阻容szmdk55a防反二极管10a 25a 40a 50a续流二极管共阴极24vdc耐压1600工业型fr107 快恢复二极管 大功率续流二极管100a 高频 mz100a.58宏发(HONGFA)中间继电器HF157F/24-2Z25FD2 1Z/2Z 10A LED 续流二极管全网资源全网资源力士乐比例线圈德驰防水连接器DT06-2S伊顿迪普马电磁铁带灯插头 带LED灯带续流二极管(线长50CMB全新进口 mbr4060wt 60v 40a to钜兴电子科技有限公司超高效整流二极管 her105fr607fr608超快恢复二极管电源续流二极管6a1000v超her308 fr607 拍一214ac1000v1a贴片通用二极管整流器二极管her308 超快恢复二极管her308续流二极管3a1000v全新原装包邮优质2w直插稳压二极管75v05w整包500个二极管全新ked整流二极管1n40071a1200v环保长脚品质保证二极管ru4s-d-d24 全新原装正品idec/和泉 ru4s-d-d24 续流二极管继电器导轨式防反充防逆流回流续流二极管光伏直流整流模块防倒流小体积 2amdk300a1600v整流管模块防反二极管续流二极管mdk300220快恢复二极管 全新原装 fep16gt 功率整流器继电器指示灯 rim 2 6/24vdc 续流二极管 7760056015询欧姆龙进口8脚5a小型中间继电器2开2闭dc24v ac220v续流二极管snd带灯
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4MBI600VC-120-50是富士电机为1500V I型三电平系统推出的专用IGBT模块, 将I型系统需要使用的4个IGBT和2个续流二极管集成到...
同时提高对功率耗散有极高要求的应用可靠性。 此外,新产品的封装还集成了新一代续流二极管(Free-wheeling Diode)。
由多个IGBT芯片和多个FRD续流二极管芯片封装组成的是IGBT模块。 功率半导体主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是进行...
第一种: 关闭Q1和Q4,这时候电流仍然会通过反向续流二极管进行流动,此时短暂打开Q1和Q3从而达到快速衰减电流的目的,电流...
图7 PLC与感性输出设备的连接 图中,续流二极管可选用额定电流为1A、额定电压大于电源电压的3倍;电阻值可取50~120ImageTitle...
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无隔离DC-DC变换器中,这个节点与电感和续流二极管相连。变压器隔离拓扑中,变压器有多少个绕组,就有多少个交流节点。但从...
芯片内部集成650V高压MOS管,集成高压启动和自供电电路,集成VCC电容,续流二极管和反馈电路,固定5V输出。 晶丰明源BP...
ADAS 和 OBC 的 DC / DC 转换器、用于直流电机的续流二极管、开关电源、笔记本适配器、防反二极管、以太网供电等等。
six-pack模块内置六个IGBT和续流二极管,可用作三相逆变器。PIM是转换器-逆变器-制动器 (CIB) 模块,集成有三相整流器、三相...
这里有四个开关元器件,,,,另外还有一个直流电机M,,,,是MOS-FET的续流二极管;开关状态下面以控制一个直流电机为例,...
并通过续流二极管D2构成回路电流ImageTitle,另一路是C1放电提供的电流为-ic1。 2、DLC型滤波器,输出的直流电压就是它输入的...
续流二极管,以及功率因数校正电路。 VS-1EQH02HM3和VS-2EQH02HM3潮湿敏感度等级达到 J-STD-020 标准 1 级,LF 最高峰值...
什么是H桥? H桥是一个比较简单的电路,通常它会包含四个独立控制的开关元器件(例如MOS-FET),它们通常用于驱动电流较大的...
与前面的文章相比,带有并联续流二极管的继电器打开速度较慢。在这个L/R系统中,继电器从激活到最终弹跳需要8.8毫秒,我们定义...
D1~D4为续流二极管,使电机绕组产生的反电动势通过续流二极管(D1~D4)而衰减掉,从而保护了功率管TIP122不受损坏。 在50...
以Buck 为例,建议缩小输入电容、内置MOSFET、电感、输出电容组成的励磁回路,以及电感、输出电容、续流二极管组成的续流回路...
芯片内部集成开关管,外置肖特基二极管续流。JW5116F内置软启动,开关频率可调,支持欠压闭锁和启动过电流保护,具备输出短路...
如果是直流,还可以用在感性负载上并联续流二极管的方法解决,功率不大时用1N4007二极管,功率大时用UF5404大功率整流二极管...
Hybrid-IGBT是在传统IGBT的反馈单元(续流二极管)中使用了ROHM低损耗ImageTitle SBD的Hybrid型IGBT,与传统的IGBT相比,...
VD2也导通,这时电网向负载传送能量,滤波电感L储存能量;当开关管VT1截止时,电感L通过续流二极管VD3继续向负载释放能量。
2 续流和ZVS条件 分析一下谐振频率的方程式就会发现,在高于...在电容区工作时,体二极管在MOSFET开关期间执行反向恢复操作...
IGBT常见的失效机理: l 集电极—发射极过压 l 门极—发射极过压 l 过电流脉冲 l 续流二极管正向过电流 l 超出反偏工作安全区 l 温度...
主板背面一览,左侧设有整流桥、PFC升压开关管、续流二极管,右上角是开关电源PWM控制器和氮化镓功率开关管,次级侧设有MCU...
由于ImageTitle器件可以实现反向导通,替代了普通MOSFET体二极管的续流作用,但是一旦负载电流过大会出现高反向导通压降,...
备注: 双层板设计时,输出输入滤波电容接地端、续流二极管接地端、DC-DC IC 的接地保持在相同的层,同时彼此之间的连接保持...
就是用MOS管来代替续流二极管,以达到降低损耗继而提升转换效率的目的),内部是用两个NMOS管配合工作的,需要一个自举升压...
器件适用于低压高频逆变器、DC/DC转换器、续流二极管、缓冲电路、极性保护、反向电流阻断和LED背光。典型车载应用包括电动车...
在IGBT的反馈单元(续流二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC SBD。与以往使用Si快速恢复二极管(Si-FRD)的IGBT产品相比,成功...
基于这个原因,在现有CAL(可控轴向长寿命)二极管技术的基础上开发了新的CAL4 续流二极管,其特点在于对任何电流密度的软开关...
这是一个非同步模式电源,即续流器件为外部二极管,而不是内部 MOS 管。下面咱们一起来分析各个功能是怎么实现的!基准电压类似...
增加续流二极管恢复时的浪涌电压,因此选择RG时需要折中考虑。RGE的作用是防止IGBT栅极电荷积累,一般取值是10k~100k。GE...
截止时灭。VCC主要为ULN2003内部续流二极管的公共端,VM为步进电机的驱动电压;VCC与VM的工作电压需保持一直。
介绍了包括四种换流类型及其区别和使用场合、桥式逆变电路中续流二极管的安装问题、逆变电路多极化时应注意的问题及其作用等,让...
图24-10:不理想的续流二极管布局 如图24-11所示缓冲电路需要放置在IC的开关引脚和GND引脚的近处。即使放置在二极管的两端,...
器件适用于低压高频逆变器、DC/DC转换器、续流二极管、缓冲电路、极性保护、反向电流阻断和 LED 背光。典型车载应用包括电动车...
图24-10还展示了其他不合理的布局,续流二极管与IC的开关引脚及GND引脚距离较远,这会导致布线上的寄生电感增加从而导致噪音...
其主要组成部分包括输入滤波电容、续流二极管、升压电感、开关管、输出滤波电容等。 在升压芯片中,输入电压经过滤波电容后,被...
噪声。通过集成齐纳二极管,DRDC3105 无需外部续流二极管,并允许驱动电感负载,如继电器、螺线管、白炽灯和小型直流电机。
作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快速恢复二极管反向恢复时间在50-200NS范围内,可用于100KHZ以下的开关...
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